ダイシングマシンとは、ウエーハ上に形成された多数のICなどを、1個1個のチップに切り出す装置です。 一般的には、ダイヤモンド・ブレード(砥石)を高速回転するスピンドルの先端に取り付け、極薄外周刃により、切削を行います。 当社では、レーザ光を用いたダイシング装置も市場投入しており、様々なデバイスの切断要求に対応いたします。
プロービングマシンとは、ウェーハ上に形成されたチップの電気的特性を試験するための、ウェーハ搬送位置決め装置です。 このウェーハテストにより、チップの良品、不良品の選別をおこないます。
ポリッシュ・グラインダとは、東京精密独自の発想から生まれた、各種デバイスウェーハの薄片化とダメージ除去を1台の装置で実現する装置です。 近年では、積層メモリやFO/2.5D/3Dといった先端アドバンスドパッケージ技術で要求される様々な研削・研磨加工にも貢献しています。
高剛性研削盤とは、独自の高剛性メカニズムを生かし、SiC基板やGaN基板などの難削材、Si基板やLT,LN基板などの硬脆材料を高速、低ダメージで研削可能な装置です。
近年、ウェーハの品質向上の要求が強く、ウェーハ端面(エッジ部)の加工状態が重要視されております。 シリコン、サファイア、SiCなど多種材料のウェーハ外周部面取りを行う加工機「W-GMシリーズ」。 Siメーカーのみならず、化合物半導体、酸化物材料メーカーなど多方面にわたって高い評価を受けております。 またデバイスウェーハの最終工程において、ナイフエッジ起因によるウェーハの歩留り低下に対する面取り機の有効性が注目されております。 半導体製造工程において、ウェーハ製造からデバイス製造に至るまでエッジ特性の品質改善は必要不可欠なプロセスとなってきております。 その改善策を『品質向上、Coo(コストオブオーナーシップ)低減、歩留り向上』を達成する様々な提案をしてまいります。
ワイヤソー・スライシングマシンで切断後のインゴットを全自動・高スループットで剥離洗浄します。