Lowk材

ろうけいざい

先端ロジックLSIのCu配線間の絶縁膜に用いられている酸化膜の誘電率を下げる事でLSIの高速動作化が可能となる為、通常の酸化膜のk値4.1から2-3までk値を下げた材料が開発されている。