STI

えすてぃーあい

Shallow Trench Isolationの略。トランジスタの高集積化を進めるあたって、適用された素子分離技術Si基板に素子分離の為の溝をドライエッチング加工により形成後、絶縁膜として酸化膜の埋め込みを行った後に不要な酸化膜をCMP技術により除去する。